Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF33N10
MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF33N10
FQPF33N10 Hakkında
FQPF33N10, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketlemesi ile montajı kolaydır. 52mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge 51nC olup hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, motor denetleyicileri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde uygulanır. 41W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek akımı işleyebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok