Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF32N12V2

MOSFET N-CH 120V 32A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF32N12V2

FQPF32N12V2 Hakkında

FQPF32N12V2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 120V drain-source gerilim (Vdss) ve 32A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipi ile Through Hole montajı destekler. 50mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 53nC gate charge özelliği hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılır. Güç elektronikleri uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama güç kaynakları tasarımında yaygın olarak kullanılmaktadır. 50W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1860 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok