Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF2P25
MOSFET P-CH 250V 1.8A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF2P25
FQPF2P25 Hakkında
FQPF2P25, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 1.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-220-3 paketinde sağlanan bu bileşen, 10V gate sürüş gerilimine sahip 4Ω maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, invertör devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve yük anahtarlaması uygulamalarında tercih edilir. 32W maksimum güç saçılımı kapasitesi bulunmaktadır. Şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumda olup, devre tasarımlarında alternatif komponentler göz önüne alınmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 900mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok