Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF2N90
MOSFET N-CH 900V 1.4A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF2N90
FQPF2N90 Hakkında
FQPF2N90, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source gerilimi ve 1.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 7.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Güç kaynakları, AC/DC konvertörleri, anahtarlama devreleri ve yüksek gerilim kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 35W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2Ohm @ 700mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok