Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF2N80YDTU
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF2N80YD
FQPF2N80YDTU Hakkında
FQPF2N80YDTU, onsemi tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi işlevleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 1.5A drain akımı, 6.3Ω maksimum RDS(on) değeri ve 35W güç dissipasyonu kapasitesi ile soğutucu kullanımı gerektiren orta güç uygulamalarında kullanılabilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) ve ±30V maksimum gate-source voltajı, çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik devreleri için uygun hale getirmektedir. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrolü ve yüksek voltaj arayüz devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3Ohm @ 750mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok