Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF2N30

MOSFET N-CH 300V 1.34A TO220F

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF2N30

FQPF2N30 Hakkında

FQPF2N30, onsemi tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 300V drain-source voltajında 1.34A kontinü akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 3.7Ω on-state direncine ve 16W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilen FQPF2N30, güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel yüksek voltaj sistemlerinde kullanılır. ±30V maksimum gate-source voltajı ve 5V threshold voltajı ile güvenli ve kontrollü anahtarlama işlemi sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 16W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 670mA, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok