Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF27P06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF27P06

FQPF27P06 Hakkında

FQPF27P06, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 17A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 70mOhm maksimum on-state direnç (RDS(on)) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, motorlu cihazlarda, anahtarlı güç kaynakları ve yük sürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok