Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF22N30

MOSFET N-CH 300V 12A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF22N30

FQPF22N30 Hakkında

FQPF22N30, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi yapabilir. TO-220-3 paketinde gelen bu bileşen, güç elektronikleri, motor kontrolü, elektrik kaynak devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 10V gate sürüş geriliminde 160mΩ maksimum on-direnci ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihazlarda kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok