Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF20N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF20N06
FQPF20N06 Hakkında
FQPF20N06, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 60V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Maksimum 30W güç tüketimi özellikleriyle anahtarlama ve güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 60mΩ drain-source direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ile 175°C arası) güvenilir işletme imkanı sunar. Güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok