Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF1N60T

MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF1N60T

FQPF1N60T Hakkında

FQPF1N60T, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilimi ve 900mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve elektrik yönetim sistemlerinde yer almaktadır. 11.5Ω maksimum Rds(on) değeri ile iletim modunda düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Şu anda üretim dışıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 900mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5Ohm @ 450mA, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok