Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF1N60
MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF1N60
FQPF1N60 Hakkında
FQPF1N60, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 900mA sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç kontrolü devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve benzer enerji yönetimi uygulamalarında yer alır. Maksimum 11.5Ω RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±30V maksimum Gate-Source gerilimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 900mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 21W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5Ohm @ 450mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok