Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF1N60
MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF1N60
FQPF1N60 Hakkında
FQPF1N60, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 900mA sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 10V gate sürüş gerilimine sahip olup, 11.5Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge özelliği 6nC, input kapasitansi ise 25V'ta 150pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 21W maksimum güç tüketimi ile şekillendirme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. Yüksek voltaj endüstriyel devreler, motor kontrolü ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 900mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 21W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5Ohm @ 450mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok