Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF1N50
MOSFET N-CH 500V 900MA TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF1N50
FQPF1N50 Hakkında
FQPF1N50, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V Drain-Source gerilim ve 900mA sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipi ile Through Hole montajına uygun olan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 9Ohm maksimum on-state direnci ile, inverter devreleri, DC/DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. ±30V maksimum gate gerilimi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı bulunmaktadır. 5.5nC gate charge ve 150pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 900mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 16W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9Ohm @ 450mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok