Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF19N20C
MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF19N20C
FQPF19N20C Hakkında
FQPF19N20C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltajında 19A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, düşük 170mOhm (10V, 9.5A) on-resistance değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FQPF19N20C, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±30V maksimum gate voltajı ve 4V threshold voltajı ile hassas kontrol imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok