Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF19N20

MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF19N20

FQPF19N20 Hakkında

FQPF19N20, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 11.8A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipi ile montajı kolaydır. 150mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrolü sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 50W maksimum güç tüketimi ile orta güç seviyesi uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 5.9A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok