Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF19N10L
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF19N10L
FQPF19N10L Hakkında
FQPF19N10L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source voltaj ve 13.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu transistör, şalter devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında çalışır. 38W maksimum güç disipasyonu ve 100mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. Ürün artık üretilmemekte olup (Obsolete), stok mevcudiyetine bağlı olarak tedarik edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 6.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok