Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF19N10
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF19N10
FQPF19N10 Hakkında
FQPF19N10, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 13.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında güç anahtarlaması işlevini yerine getirir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, LED sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 100mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 38W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 6.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok