Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF19N10

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF19N10

FQPF19N10 Hakkında

FQPF19N10, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 13.6A sürekli akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile montajı kolaydır. 10V gate sürücü geriliminde 100mΩ maksimum Rds(on) değeri sunarak düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç anahtarlaması ve enerji dağıtım sistemlerinde kullanıma uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 6.8A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok