Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF18N50V2SDTU
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF18N50V2
FQPF18N50V2SDTU Hakkında
FQPF18N50V2SDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 18A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlaması ve yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 265mΩ maksimum kapalı durum direncine (Rds On) sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, SMPS (Switch Mode Power Supply), enerji dönüşüm uygulamaları ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 10V gate sürme gerilimi ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 265mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok