Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF18N20V2YDTU
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF18N20V2
FQPF18N20V2YDTU Hakkında
FQPF18N20V2YDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş geriliminde 140mΩ maksimum on-direnci ile karakterize edilir. TO-220-3 paketlemesinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 40W maksimum güç tüketimi desteği nedeniyle, güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük on-direnci ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile verimli enerji yönetimi gerektiren tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok