Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF13N10
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF13N10
FQPF13N10 Hakkında
FQPF13N10, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 8.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi alanlarda yer almaktadır. 180mOhm maksimum on-direnci ve düşük gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama gerektiren tasarımlarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve 30W maksimum güç tüketimi ile çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında veri işleme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 4.35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok