Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF13N06L
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF13N06L
FQPF13N06L Hakkında
FQPF13N06L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi, 10A sürekli drain akımı ve 24W maksimum güç tüketimiyle tasarlanmıştır. 110mOhm maksimum On-direnç (10V gate geriliminde 5A akımda) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi, 2.5V eşik gerilimi ve 6.4nC gate yükü (5V'de) özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 24W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok