Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF12P10
MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF12P
FQPF12P10 Hakkında
FQPF12P10, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 8.2A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 290mOhm maksimum on-state dirençle (Rds On) düşük kayıp uygulamalara uygundur. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, invertör tasarımları ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. ±30V gate gerilimi desteği ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığı sağlam endüstriyel uygulamalar için gerekli özellikleri içerir. 27nC gate charge ve 800pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 4.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok