Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF12N60T
MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF12N60T
FQPF12N60T Hakkında
FQPF12N60T, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim ve 5.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve motor sürücü sistemlerinde yer alır. 10V gate gerilimi ile çalışır, maksimum 700mOhm on-state direnci ve 54nC gate yükü özellikleri vardır. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında stabil performans gösterir. Endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarının şiddete maruz kalan devreleri için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok