Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF12N60

MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF12N60

FQPF12N60 Hakkında

FQPF12N60, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 5.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve doğrultma devrelerinde tercih edilir. 55W maksimum güç yayılımı kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygunluğunu gösterir. 700mΩ maksimum on-state direnci ve düşük gate charge değerleri (54nC) hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 2.9A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok