Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQPF10N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQPF10N60C
FQPF10N60CYDTU Hakkında
FQPF10N60CYDTU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürme geriliminde 730mΩ açık direnç değerine sahiptir. İçgüdü kapasitesi 2040pF, gate yükü ise 57nC olarak belirlenmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 50W güç saçabilen bu transistör, güç dönüştürücüleri, switch uygulamaları ve yüksek voltaj kontrol devrelerinde tercih edilir. Darbe genişlik modülasyonu (PWM) tabanlı uygulamalarda etkin şekilde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2040 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 4.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok