Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF10N60CF

MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF10N60CF

FQPF10N60CF Hakkında

FQPF10N60CF, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı kapasitesiyle, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V kapı geriliminde 800mOhm maksimum Rds(on) değerine sahiptir. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar. 57nC kapı yükü ve 2040pF giriş kapasitesi ile hızlı anahtarlama operasyonlarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2040 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok