Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQPF10N60C_F105

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
FQPF10N60C

FQPF10N60C_F105 Hakkında

FQPF10N60C_F105, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç kaynağı tasarımlarında, motor kontrolü ve enerji dönüşüm sistemlerinde yer alır. 730mOhm maksimum Ron direnci, 57nC gate yükü ve geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2040 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 730mOhm @ 4.75A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok