Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP9P25

MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP9P25

FQP9P25 Hakkında

FQP9P25, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 9.4A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajı destekler. 620mOhm (maksimum) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. ±30V gate gerilimi ve 38nC gate charge karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 120W güç tüketebilir. Endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620mOhm @ 4.7A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok