Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP9N90C

MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP9N90C

FQP9N90C Hakkında

FQP9N90C, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 8A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 205W güç tüketebilir. Gate şarjı 58nC olup, anahtarlama hızı ve enerji verimliliği açısından kritik uygulamalarda tercih edilir. Elektrik beslemesi, motor kontrolü, güç dönüştürücü ve koruma devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2730 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok