Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP9N25C
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP9N25C
FQP9N25C Hakkında
FQP9N25C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltaj ile 8.8A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, güç anahtarlama ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan FQP9N25C, 10V gate sürüş voltajında 430mOhm maksimum Rds(On) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, endüstriyel uygulamalar ve anahtarlama devrelerinde yer alır. 74W maksimum güç tüketimi ile orta güç uygulamalarına uygundur. 35nC gate yükü ve 710pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok