Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP9N25
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP9N25
FQP9N25 Hakkında
FQP9N25, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 250V drain-source gerilimi ve 9.4A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 420mOhm maksimum RDS(on) değeriyle anahtarlama devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. TO-220-3 paketinde gelen bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 90W maksimum güç tüketimi kapasitesiyle endüstriyel elektronik, elektrikli araçlar ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 4.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok