Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP9N08L

MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP9N08L

FQP9N08L Hakkında

FQP9N08L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 9.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 210mOhm on-resistance değeri ile verimli komütasyon sağlar. TO-220-3 paket içinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları, solenoid sürücüleri ve diğer yüksek akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 40W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 6.1nC gate yükü ve 280pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlamaya olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 4.65A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok