Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP8N90C
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP8N90C
FQP8N90C Hakkında
FQP8N90C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source voltajı ve 6.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.9Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç anahtarlaması sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 171W maksimum güç harcaması ile endüstriyel anahtarlama devreleri, güç kaynakları, AC/DC konverterler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 45nC gate charge ve 2080pF input kapasitesi hızlı komütasyon özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 171W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 3.15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok