Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP8N60C

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP8N60C

FQP8N60C Hakkında

FQP8N60C, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 7.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrolü ve AC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. Maksimum 147W güç yayınlayabilir ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1.2Ω maksimum kanal direnci (RDS(on)) ile verimli işlem sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1255 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok