Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP7P06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP7P06

FQP7P06 Hakkında

FQP7P06, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel güç MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 7A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde gelen bu bileşen, 410mΩ maksimum kanal direnci (RDS On) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge değeri 8.2nC olup, hızlı anahtarlama sağlar. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılan düşük güç tüketimli bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 295 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 410mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok