Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP7N80

MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP7N80

FQP7N80 Hakkında

FQP7N80, onsemi tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. 6.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan FQP7N80, 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. Gate charge değeri 52nC olup, hızlı anahtarlama özelliği ile endüstriyel güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 167W güç disipasyon kapasitesine sahiptir. ±30V maksimum gate voltajı ile geniş uygulama alanında kullanılabilir. Bileşen üretimden kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok