Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP7N80
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP7N80
FQP7N80 Hakkında
FQP7N80, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 6.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlaması, invertör devreleri, motor kontrol ve güç kaynağı tasarımlarında yer alır. 1.5Ω RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 167W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Maksimum kapı gerilimi ±30V ve kapı şarj değeri 52nC @ 10V'dir. Through-hole montaj türü ile PCB'ye doğrudan lehimleme yoluyla bağlanır. Bileşen mevcut durumu itibariyle üretimi sona ermiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok