Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP6P25
MOSFET P-CH 250V 6A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP6P25
FQP6P25 Hakkında
FQP6P25, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltajı ve 6A sürekli dren akımı kapasitesiyle, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen FQP6P25, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 90W güç dissipasyonu kapasitesi sayesinde orta güç seviyesi uygulamalara uygundur. Ürün güncellenmiş versiyonları tarafından değiştirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok