Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP6N80C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP6N80C
FQP6N80C Hakkında
FQP6N80C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilim aralığında çalışabilir ve 25°C'de 5.5A sürekli dren akımı sağlar. 2.5Ω (max) ile düşük on-state direnci sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. 10V gate drive geriliminde optimize edilen bu transistör, 30nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama kabiliyeti sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, endüstriyel güç uygulamaları, switching power supplies, motor kontrol ve AC/DC dönüştürme devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1310 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 158W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok