Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP6N80C
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP6N80C
FQP6N80C Hakkında
FQP6N80C, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.5Ω maksimum drain-source on-direnci (Rds On) ile iyi iletkenlik sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürücüleri ve indüktif yükün anahtarlanması gereken endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve 158W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1310 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 158W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 2.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok