Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP6N80
MOSFET N-CH 800V 5.8A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP6N80
FQP6N80 Hakkında
FQP6N80, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim ve 5.8A sürekli dren akımı kapasitesiyle, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması ve kontrol görevlerinde kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.95Ω on-dirençi (RdsOn) ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FQP6N80, endüstriyel güç elektroniği, adaptörler, şarj devreleri ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir transistördür. 158W maksimum güç saçılımı kapasitesiyle, uygun ısı yönetimi koşullarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 158W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95Ohm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok