Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP6N50
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP6N50
FQP6N50 Hakkında
FQP6N50, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25°C'de 5.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipi sayesinde mekanik monte edilmesi kolay ve ısıl yönetimi etkilidir. 10V gate geriliminde 1.3Ω'luk düşük drain-source direnci (Rds On) ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir çalışma sunar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, ışık kontrol uygulamaları ve anahtarlama regülatörlerinde yaygın olarak kullanılır. Ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 98W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok