Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP5N80
MOSFET N-CH 800V 4.8A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP5N80
FQP5N80 Hakkında
FQP5N80, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim sınırlaması ve 4.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde üretilen bu bileşen, 2.6Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç anahtarlaması sağlar. Gate charge 33nC ve input capacitance 1250pF özellikleri ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında 140W güç dağıtabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj cihazları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol opsiyonları sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6Ohm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok