Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP5N30
MOSFET N-CH 300V 5.4A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP5N30
FQP5N30 Hakkında
FQP5N30, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V Drain-Source gerilim ve 5.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 900mΩ maksimum kanal direnci (Rds On) ile enerji kaybı minimize edilir. Gövde diyotuna sahip olan bu MOSFET, voltaj çıkışlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok