Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP55N10
MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP55N10
FQP55N10 Hakkında
FQP55N10, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V dren-kaynak gerilimi ve 55A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç amplifikatörlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 155W güç dağıtabilir. 26mΩ maksimum on-state direnç ile verimli güç iletimini sağlar. Düşük gate charge özelliği sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerine uyygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2730 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 155W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 27.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok