Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP50N06
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP50N06
FQP50N06 Hakkında
FQP50N06, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, 22mOhm maksimum on-state direnci sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir ve 120W maksimum güç tüketebilir. Gate charge değeri 41nC olup, 10V drive voltajı ile kontrol edilir. Endüstriyel kontrolörler, motor sürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve benzer uygulamalarda tercih edilir. Not For New Designs statüsündedir; yeni tasarımlar için alternatif bileşenler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok