Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP4N90C

MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP4N90

FQP4N90C Hakkında

FQP4N90C, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerini yerine getirir. 4A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürme devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. Maksimum 140W güç tüketebilen FQP4N90C, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 4.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Part Status olarak Last Time Buy statüsünde bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 960 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok