Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQP4N90

MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
FQP4N90

FQP4N90 Hakkında

FQP4N90, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.2A sürekli drain akımı ve 3.3Ω maksimum RDS(on) değeriyle, AC/DC güç dönüştürücüler, şarj cihazları ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında 140W güç dağıtabilir. 30nC gate charge ve 1100pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Through-hole montaj tipine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 2.1A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok