Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQP4N90
MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQP4N90
FQP4N90 Hakkında
FQP4N90, Rochester Electronics tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu komponent, 4.2A sürekli dren akımı ve 3.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürü voltajında çalışan FQP4N90, yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde, AC/DC dönüştürücülerinde, motor kontrol uygulamalarında ve güç amplifikatör devrelerinde tercih edilir. ±30V maksimum gate-source voltaj ile güvenli işletme sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kararlı performans sunar. 140W maksimum güç tüketimine sahip olan bu MOSFET, düşük açılış kapanış kayıpları ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile başarılı şekilde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3Ohm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok